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工艺 Process
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实力 Capability |
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磨片区 Grinding |
最大化晶圆厚度 Max. wafer diameter
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12 inch |
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是较为小的减薄层厚 Min. Grinding thickness
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80um |
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最窄划道总宽 Min. Scribe line width
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50um |
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装片 Die Attach |
极大晶圆直徑 Max. wafer diameter
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12 inch |
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大投资规模生产方式: 自动点胶机生产技术最低基带芯片厚度 M/P: Min. Die size for glue process
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0.27 x 0.27mm |
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装置控制精度加工: 自动点胶机施工工艺最少集成ic规格 Eng.: Min. Die size for glue process
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0.25 x 0.25mm |
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最大集成电路芯片的厚度
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80um |
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3D堆叠封装类型
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2层 |
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键合 Wire Bond |
大整体规模产出: 金线最高焊盘的尺寸 M/P: Min. BPO for Gold Wire
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40 x 40um |
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环保设备误差制造: 金线很小焊盘厚度 Eng.: Min. BPO for Gold Wire
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36 x 36um |
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规模化化出产: 金线世界最大焊盘距离 M/P: Min. BPP for Gold Wire
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43um |
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装备准确度出产: 金线至少焊盘行距 Eng.: Min. BPP for Gold Wire
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40um |
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大市场规模制作: 铜丝是较为小的焊盘长宽高 M/P: Min. BPO for Copper Wire
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40 x 40um |
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设配计算精度分娩: 电线最长焊盘尺寸 Eng.: Min. BPO for Copper Wire
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37 x 37um |
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大市场规模的生产: 芯线最高焊盘排距 M/P: Min. BPP for Copper W/B
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47um |
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主设备导致精度生孩子: 铜芯是较为小的焊盘间隙 Eng.: Min. BPP for Copper W/B
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43um |
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金芯线径 Gold & copper wire Diameter
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16-50um |
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线长 Wire Length
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0.1-6mm |
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